发布时间：2024-10-31 17:31
石帮兵，男，1992年生，讲师，博士，英国威廉希尔公司人工智能系专任教师，本科毕业于北京工业大学电子科学与技术专业，获学士学位，博士毕业于北京工业大学电子科学与技术专业，获工学博士学位（硕博连读），2019年入职中车株洲电力机车研究所有限公司，担任SiC事业部工艺工程师，从事SiC MOS芯片研发及可靠研究工作，2020年获评中车时代电气青年科技人才，2021年入职贵州省铜仁市明德衡民中学，担任执行董事/执行董事长职务，主持学校行政全面工作，2022年底入职英国威廉希尔公司，现从事功率半导体器件可靠性及应用、智能检测技术、智能芯片与系统研究，电力电子领域国际顶级期刊IEEE Transaction on Power Electronics审稿人，国际期刊Journal of Electrical and Electronic Engineering编委；发表SCI论8篇，发表EI会议论文1篇，近五年以第一作者在电力电子领域国际top期刊IEEE Transaction on Power Electronics发表SCI论文2篇，授权国家发明专利7项。联系邮箱：shibangbing@hut.edu.cn2. 研究领域功率半导体器件可靠性及应用、智能监测技术、智能芯片与系统研究3. 教学与科研项目[1] 国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目, 61804006, 基于峰值谱技术的GaN基HEMT器件陷阱演化特征及物理机制研究, 2019-01-01 至 2021-12-31, 25万元, 结题, 参与。[2] 国家自然科学基金委员会, 面上项目, 61774011, 宽带隙功率微波器件陷阱与缺陷原位表征技术及相关退化机理研究, 2018-01-01 至 2018-12-31, 16万元, 结题, 参与。4. 学术论文[1] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Lei. Shi, et al. Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal [J]. IEEE Transaction on Power Electronics, vol. 33, no. 6, pp. 5274–5282, Jun 2018. （SCI 检索，JCR一区，IF:6.812).[2] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Yamin Zhang, Kun Bai, Yuxuan Xiao, Lei Shi, Hui Zhu, and Chunsheng Guo, “Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current,” IEEE Power Trans. Electron., vol. 34, no. 10, pp. 10136-10142, Jun 2019.（SCI 检索，JCR一区，IF:5.967).[3] Ximing Chen, Bangbing Shi, Xuan Li, Huaiyun Fan, Chenzhan Li, Xiaochuan Deng, Haihui Luo, Yudong Wu, and Bo Zhang, "Characteristics and mechanisms of subthreshold voltage hysteresis in 4H-SiC MOSFETs," 2021 Chin. Phys. B 30 048504.(SCI 检索，JCR三区 IF:1.356).[4] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Quanbo He，et al. Junction Temperature measurement of SiC BJT via the voltage drop of VBC [C]//Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018 14th IEEE International Conference on. IEEE, 2018: 1-3. (EI会议).[5] Xi-ming Chen, Hong-Chen, Bangbing Shi, et al. "Deep Understanding of Negative Gate Voltage Restriction for SiC mosfet Under Wide Temperature Range," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 8, pp. 8622-8627, Aug. 2021. （SCI 检索，JCR一区，IF:5.967).[6] Xi-ming Chen, Hong-Chen, Bangbing Shi, et al. "Investigation on Short-Circuit Characterization and Optimization of 3.3-kV SiC MOSFETs," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 1, pp. 184-191, Jan. 2021. (SCI 检索，JCR二区，IF:3.221)[7] Yin, Zhongdong, Yin, Haoyang, Shi, Bangbing, et al. “Improving thermal conductivity of radiators using a graphene-doped coating,” Surface Engineering, 2021, 37 (6):818-821.（SCI 检索，JCR三区，IF:2.451).[8] L. Shi, S. Feng, Y. Zhang, Bangbing Shi, and K. Liu, “Variation of Dominant Degradation Mechanism in AlGaN Barrier Layer With Different Voltage Stress on the Gate of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” IEEE Electron Device Letters, 2015 , 36 (4) :321-323.（SCI 检索，JCR二区，IF:3.048).[9] L. Shi, S. Feng, Bangbing Shi, X. Yan, and Y. Zhang, “Degradation induced by voltage and current for AlGaN/GaN high-electron mobility transistor under on-state stress,” Acta Physica Sinica, vol. 64, no.12, Jun 2015. （SCI 检索，JCR四区，IF:0.906）5. 著作、专利与软件登记证[1] SiC MOSFET 器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质（202010739182.X），国家发明专利，排名第一。[2] 一种碳化硅 MOSFET 器件高温栅偏试验方法及系统（202010898622.6），国家发明专利，排名第一。[3] 一种功率 MOS 器件温升和热阻构成测试装置和方法（201610900251.4），国家发明专利，排名第二。[4] 一种功率 MOS 器件在线测温的方法（201610476411.7），国家发明专利，排名第二。[5] 一种用于高压下 SiC MOS 热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置（201910974943.7），国家发明专利，排名第三。[6] 一种 IGBT 温升和热阻构成测试装置和方法（201910052090.1），国家发明专利，排名第三。[7] 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法（201910003679.2），国家发明专利，排名第三。6. 所获教学与科研奖励无7. 学术兼职[1] 担任电力电子领域国际Top期刊IEEE Transaction on Power Electronics审稿人[2] 担任国际期刊Journal of Electrical and Electronic Engineering（电气与电子工程杂志）编委。
石帮兵，男，1992年生，讲师，博士，英国威廉希尔公司人工智能系专任教师，本科毕业于北京工业大学电子科学与技术专业，获学士学位，博士毕业于北京工业大学电子科学与技术专业，获工学博士学位（硕博连读），2019年入职中车株洲电力机车研究所有限公司，担任SiC事业部工艺工程师，从事SiC MOS芯片研发及可靠研究工作，2020年获评中车时代电气青年科技人才，2021年入职贵州省铜仁市明德衡民中学，担任执行董事/执行董事长职务，主持学校行政全面工作，2022年底入职英国威廉希尔公司，现从事功率半导体器件可靠性及应用、智能检测技术、智能芯片与系统研究，电力电子领域国际顶级期刊IEEE Transaction on Power Electronics审稿人，国际期刊Journal of Electrical and Electronic Engineering编委；发表SCI论8篇，发表EI会议论文1篇，近五年以第一作者在电力电子领域国际top期刊IEEE Transaction on Power Electronics发表SCI论文2篇，授权国家发明专利7项。
联系邮箱：shibangbing@hut.edu.cn
2. 研究领域
功率半导体器件可靠性及应用、智能监测技术、智能芯片与系统研究
3. 教学与科研项目
[1] 国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目, 61804006, 基于峰值谱技术的GaN基HEMT器件陷阱演化特征及物理机制研究, 2019-01-01 至 2021-12-31, 25万元, 结题, 参与。
[2] 国家自然科学基金委员会, 面上项目, 61774011, 宽带隙功率微波器件陷阱与缺陷原位表征技术及相关退化机理研究, 2018-01-01 至 2018-12-31, 16万元, 结题, 参与。
4. 学术论文
[1] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Lei. Shi, et al. Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal [J]. IEEE Transaction on Power Electronics, vol. 33, no. 6, pp. 5274–5282, Jun 2018. （SCI 检索，JCR一区，IF:6.812).
[2] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Yamin Zhang, Kun Bai, Yuxuan Xiao, Lei Shi, Hui Zhu, and Chunsheng Guo, “Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current,” IEEE Power Trans. Electron., vol. 34, no. 10, pp. 10136-10142, Jun 2019.（SCI 检索，JCR一区，IF:5.967).
[3] Ximing Chen, Bangbing Shi, Xuan Li, Huaiyun Fan, Chenzhan Li, Xiaochuan Deng, Haihui Luo, Yudong Wu, and Bo Zhang, "Characteristics and mechanisms of subthreshold voltage hysteresis in 4H-SiC MOSFETs," 2021 Chin. Phys. B 30 048504.(SCI 检索，JCR三区 IF:1.356).
[4] Bangbing Shi, Shiwei Feng, Quanbo He，et al. Junction Temperature measurement of SiC BJT via the voltage drop of VBC [C]//Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018 14th IEEE International Conference on. IEEE, 2018: 1-3. (EI会议).
[5] Xi-ming Chen, Hong-Chen, Bangbing Shi, et al. "Deep Understanding of Negative Gate Voltage Restriction for SiC mosfet Under Wide Temperature Range," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 8, pp. 8622-8627, Aug. 2021. （SCI 检索，JCR一区，IF:5.967).
[6] Xi-ming Chen, Hong-Chen, Bangbing Shi, et al. "Investigation on Short-Circuit Characterization and Optimization of 3.3-kV SiC MOSFETs," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 1, pp. 184-191, Jan. 2021. (SCI 检索，JCR二区，IF:3.221)
[7] Yin, Zhongdong, Yin, Haoyang, Shi, Bangbing, et al. “Improving thermal conductivity of radiators using a graphene-doped coating,” Surface Engineering, 2021, 37 (6):818-821.（SCI 检索，JCR三区，IF:2.451).
[8] L. Shi, S. Feng, Y. Zhang, Bangbing Shi, and K. Liu, “Variation of Dominant Degradation Mechanism in AlGaN Barrier Layer With Different Voltage Stress on the Gate of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” IEEE Electron Device Letters, 2015 , 36 (4) :321-323.（SCI 检索，JCR二区，IF:3.048).
[9] L. Shi, S. Feng, Bangbing Shi, X. Yan, and Y. Zhang, “Degradation induced by voltage and current for AlGaN/GaN high-electron mobility transistor under on-state stress,” Acta Physica Sinica, vol. 64, no.12, Jun 2015. （SCI 检索，JCR四区，IF:0.906）
5. 著作、专利与软件登记证
[1] SiC MOSFET 器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质（202010739182.X），国家发明专利，排名第一。
[2] 一种碳化硅 MOSFET 器件高温栅偏试验方法及系统（202010898622.6），国家发明专利，排名第一。
[3] 一种功率 MOS 器件温升和热阻构成测试装置和方法（201610900251.4），国家发明专利，排名第二。
[4] 一种功率 MOS 器件在线测温的方法（201610476411.7），国家发明专利，排名第二。
[5] 一种用于高压下 SiC MOS 热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置（201910974943.7），国家发明专利，排名第三。
[6] 一种 IGBT 温升和热阻构成测试装置和方法（201910052090.1），国家发明专利，排名第三。
[7] 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法（201910003679.2），国家发明专利，排名第三。
6. 所获教学与科研奖励
无
7. 学术兼职
[1] 担任电力电子领域国际Top期刊IEEE Transaction on Power Electronics审稿人
[2] 担任国际期刊Journal of Electrical and Electronic Engineering（电气与电子工程杂志）编委。
